导语：

英特尔在科技领域迈出了革命性的一步，率先在产品级测试芯片上实现了背面供电技术（Backside Power Delivery），以满足计算行业的未来需求。这一业界领先的背面供电解决方案，名为PowerVia，计划于2024年上半年在Intel 20A制程节点上正式发布。通过将电源线路迁移到晶片背面，英特尔成功克服了微缩技术面临的互连瓶颈问题。

英特尔技术开发副总裁Ben Sell指出，"英特尔正积极实施'四年五个制程节点'计划，致力于在2030年前实现单个封装集成一万亿个晶体管的目标。PowerVia在此过程中扮演着关键角色。通过在实验性生产的制程节点和测试芯片上应用此技术，英特尔有效降低了将背面供电引入高级制程节点的风险，确保了比竞争对手提前一个节点的时间表，成功将背面供电技术推向市场。"

技术创新与里程碑：

研发项目“Blue Sky Creek”测试芯片的使用，不仅帮助英特尔完善了PowerVia背面供电技术，也为该技术的市场推广奠定了坚实基础。PowerVia计划于2024年随Intel 20A制程节点一同推出，成为业界首个实现芯片背面供电的技术，有效解决了长达数十年的互连瓶颈问题。

技术优势与应用前景：

通过将PowerVia技术与晶体管的研发相分离，英特尔确保了该技术能适配Intel 20A及后续制程节点的生产。在与即将与Intel 20A制程节点同步发布的RibbonFET晶体管集成前，PowerVia在内部测试节点上进行了全面测试，确保了其功能的稳定性和高效性。实际应用表明，采用PowerVia技术的芯片在使用效率、单元利用率以及晶体管微缩等方面均表现优异，显著提升了产品的能效和性能。

展示与分享：

英特尔计划在6月举办的VLSI研讨会上，通过两篇论文分享相关研究发现，进一步深化业界对PowerVia技术的理解与认可。借助PowerVia，包括英特尔代工服务（IFS）在内的芯片设计公司有望加速实现产品性能和能效的提升。作为推动行业发展的关键创新力量，英特尔在过去曾推出应变硅、高K金属栅极和FinFET晶体管等重大技术突破，如今，PowerVia和RibbonFET全环绕栅极技术的推出，将使英特尔继续保持在芯片设计与制造技术领域的领导地位。

技术挑战与解决方案：

背面供电技术虽带来显著的性能和能效提升潜力，但也面临着散热与调试设计等方面的挑战。英特尔通过开发先进的散热技术，确保了在Intel 20A和Intel 18A制程节点芯片上的PowerVia技术应用不会引发过热问题。同时，调试团队亦研发出相应技术，有效解决了新晶体管结构在调试过程中可能出现的问题，保证了较高的良率和可靠性。

测试成果与展望：

PowerVia的测试结果显示，大部分区域的标准单元利用率超过90%，单元密度显著提升，有望降低制造成本。此外，测试还表明平台电压降低了30%，频率增益达到6%，散热特性良好，符合预期的更高功率密度目标。未来，英特尔将在VLSI研讨会上发布的第三篇论文中，详细探讨PowerVia技术的更先进部署方法，如在晶片正面和背面同时实现信号传输与供电。

总结：

凭借PowerVia背面供电技术，英特尔不仅引领了计算行业的技术革新，还为芯片设计公司提供了突破互连瓶颈、优化性能与能效的新途径。这一技术的推出，不仅巩固了英特尔在半导体创新领域的领先地位，也为未来的计算技术发展铺平了道路，持续推动着行业向前迈进。