导语：

《经济日报》传来喜讯，台积电在次世代内存技术领域取得了重大突破。与工研院携手研发出自旋轨道转矩磁性内存（SOT-MRAM）阵列芯片，该技术结合了创新计算架构，其能耗仅为同类技术的百分之一。这一进展为台积电在人工智能（AI）、高性能计算（HPC）等热门市场领域开辟了新的增长路径。

详细报道：

《经济日报》最新报道指出，台积电在前沿内存技术领域实现了关键突破。与工研院紧密合作，双方成功开发出自旋轨道转矩磁性内存（SOT-MRAM）阵列芯片，该技术融合了先进的计算结构设计，显著降低了能耗。与现有类似技术相比，SOT-MRAM的能耗减少了99%，这标志着台积电在追求更高效、更节能解决方案的道路上迈出了重要一步。

此技术创新不仅为台积电在人工智能、高性能计算等快速发展的市场领域提供了强有力的支持，也为公司未来的业务拓展和市场竞争增添了强劲动力。随着技术的不断优化和应用的广泛推广，SOT-MRAM有望引领内存技术的新潮流，为相关产业带来革命性的变化。