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韩国科技领头羊三星电子宣布已成功研发出12层高带宽存储器（HBM3E），预计将于今年上半年大规模投产，具体客户名单暂未公布。与此相呼应，美国存储解决方案专家美光科技近日宣布启动HBM3E生产，将向全球领先的图形处理器制造商英伟达提供24GB8HHBM3E型号产品，此款产品预计将在2024年第二季度面市，集成于英伟达的H200 Tensor Core GPU内。

随着人工智能（AI）技术的蓬勃发展，存储能力正逐渐成为衡量AI芯片效能的关键指标。AI技术的革新迫切需要高带宽存储器（HBM）的支持。英伟达发布的最新AI芯片H200在内存配置方面实现了显著升级，而内存技术的创新成为推动AI性能提升的重要因素。HBM，作为一种利用3D堆叠技术的高性能动态随机存取存储器（DRAM），成功地解决了内存带宽和能耗的挑战，GPU性能的增强进一步加速了HBM技术的发展。HBM主要应用于AI服务器领域，根据市场研究机构Trendforce的数据，2022年AI服务器的出货量达到86万台，预计至2026年这一数字将攀升至超过200万台，年复合增长率高达29%。AI服务器出货量的增长为HBM需求的激增提供了强大推动力，同时，随着服务器平均HBM容量的提升，预测到2025年HBM市场规模将达约150亿美元，年增长率超过50%。

依据财经信息平台财联社的主题库资料，相关上市企业动态如下：

• 国芯科技正在与合作伙伴一同推进基于先进工艺的芯片级互联IP技术的验证流程，并与产业链上下游企业紧密合作，共同探索HBM技术在内的高端芯片封装方案。
• 香农芯创作为SK海力士的分销商之一，具备HBM产品的代理资格。未来，公司将以市场需求为导向，确保供应链稳定，制定相应的销售策略。

（财联社报道） 最后更新于2024-03-11 11:32:30