三星电子近期在EUV薄膜技术领域取得显著进展,正致力于开发一种透光率高达92%的薄膜,旨在提升其在半导体制造领域的竞争力。据公司最新发布的招聘信息透露,三星已成功研制出透光率超过88%的EUV薄膜,并具备了规模化生产的条件。这一成果不仅标志着三星在薄膜技术上的重大突破,也预示着其在EUV工艺领域的新发展路径。
三星电子已启动对用于High-NA EUV的薄膜的研究工作,这是EUV技术的下一个重要发展阶段。公司计划与外部研究机构合作,探索由碳纳米管和石墨烯构成的新型EUV薄膜,旨在推动新材料在EUV工艺中的应用。此外,三星还致力于设计大规模生产设施,专注于开发自家的纳米石墨薄膜(NGF),以优化生产工艺流程。
作为半导体光刻工艺不可或缺的材料,EUV薄膜承担着保护掩模免受污染的重要职责,从而减少生产过程中的缺陷,延长掩模的使用寿命,进而有助于成本控制。然而,EUV光的特殊性质使得商业化应用面临挑战。尽管三星电子在薄膜技术上取得了进步,但业界专家普遍认为大规模量产的时机尚未成熟。
竞争对手台积电自2019年起便在其量产线中采用自主研发的EUV薄膜,且在2021年宣布,相较于2019年,其EUV薄膜产能实现了20倍的增长。这一系列动作彰显了台积电在EUV技术领域的领先地位,同时也给三星电子带来了更为激烈的市场竞争环境。
面对日益激烈的市场竞争,三星电子在EUV薄膜技术上的持续投入与创新,不仅关乎其在半导体制造领域的长远发展,也反映了行业对于提升工艺效率、降低成本以及应对技术挑战的共同追求。随着三星电子与外部研究机构的合作不断深化,以及新材料的应用探索,EUV技术的未来发展前景值得期待。
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