【全球科技综合报道】6月9日最新消息，恩智浦半导体公司推出了创新的顶部冷却射频放大器模块系列，其先进的封装工艺旨在为5G网络设施构建更为轻巧、薄型化的无线设备。这种小型化的基站能显著提升安装便捷性与经济效益，同时更好地融入周围环境。

恩智浦的GaN多芯片模块系列与全新射频功率器件的顶部冷却解决方案相融合，实现了无线电设备厚度与重量的大幅削减，最高可达20%以上，同时显著降低了5G基站的碳排放量。

恩智浦的高级副总裁兼射频功率业务部门负责人Pierre Piel指出，顶部冷却技术为无线基础设施领域开辟了新机遇。通过将高功率功能与优异的热性能相结合，从而打造出体积更小的射频组件。采用这项创新技术的解决方案，不仅有助于实施更加环保的基站部署，还能确保实现5G全部性能优势所需的网络密度。

恩智浦新推出的顶部冷却器件具备多项设计与制造优势，包括无需专门的射频屏蔽、采用成本效益更高的简化印制电路板，以及热管理和射频设计分离。这些特性为网络解决方案供应商提供了打造更轻薄的5G无线产品的可能，同时也缩短了产品的整体开发周期。

恩智浦首推的顶部冷却射频功率模块专为32T32R、200W射频应用设计，工作频率覆盖3.3GHz至3.8GHz。该模块集成了恩智浦独有的LDMOS和GaN半导体技术，展现出高增益、高效能及宽带特性，在400MHz带宽下提供31dB增益和46%的效率。