6月9日，恩智浦半导体推出了全新系列的射频放大器模块。这一系列产品应用了创新封装技术，目标是为5G基础设施打造更小巧的无线设备。这种设计让基站体积大幅缩小，安装起来更加方便，成本也更低，还能更好地融入周边环境。恩智浦的氮化镓（GaN）多芯片模块配合最新的顶部冷却方案，能让无线电设备的尺寸和重量减少超过20%，并且有效减少了5G基站制造和部署过程中的碳足迹。

恩智浦的射频功率业务负责人皮埃尔·皮尔表示：“顶部冷却技术为无线基础设施带来了重要机遇，让我们能把高性能和出色的散热性能结合在一起，从而开发出更紧凑的射频元件。利用这项技术，我们既能推动建设更环保的基站，也能满足5G所需的高网络密度要求。”

据悉，这款采用顶部冷却技术的新器件具有多项设计和生产上的优势。比如，它不需要额外的射频屏蔽，可以用更简单的印刷电路板，还能把热管理与射频设计分开。这些特性让网络解决方案提供商能够更快地为移动运营商推出更轻便的5G无线设备。

恩智浦首次推出的顶部冷却式射频功率模块专为32T32R、200W射频设计而打造，工作频率在3.3GHz到3.8GHz之间。该器件结合了恩智浦独有的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）和氮化镓（GaN）技术，具备高增益、高效率以及宽频带的特点。在400MHz的瞬时带宽下，它的增益可达31分贝，效率达到46%。