科技日报报道：中国散裂中子源探测器团队成功研发高性能大面积碳化硼薄膜

科技进展

10月16日，据科技日报官方公众号报道，中国散裂中子源（CSNS）探测器团队自主研发了一种磁控溅射大面积镀硼专用设备，成功制备出满足中子探测器需求的高性能大面积碳化硼薄膜样品。这一突破标志着中国在中子探测领域迈出了重要一步。

技术亮点

• 单片尺寸：制备的碳化硼薄膜单片面积达到惊人的1500mm×500mm。
• 薄膜厚度：薄膜厚度仅为1微米，且在整个尺寸范围内厚度均匀性控制在±1.32%以内。
• 国际领先：该团队声称，这是目前国际上用于中子探测的最大面积的碳化硼薄膜，展示了其在材料科学领域的领先地位。

研发历程

研究团队历经多年的技术攻坚和工艺优化，解决了溅射靶材制作、过渡层选择、基材表面处理等关键技术难题，设计并制造出了自主研发的磁控溅射大面积镀硼专用装置。通过此装置，研究团队成功制备了不同规格的碳化硼薄膜，并将其应用到CSNS的多台中子谱仪上的陶瓷GEM中子探测器中，实现了关键技术和器件的国产化。

应用前景

此次成功研发不仅为CSNS提供了关键的中子探测技术支持，也为未来研制更大面积、更高性能的新型中子探测器奠定了坚实的基础，有望在科学研究、工业应用等领域发挥重要作用。

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