美光科技近期宣布,将率先采用佳能的纳米印刷技术,以期在DRAM存储芯片的生产中实现单层成本的显著降低。这一创新合作标志着半导体行业在成本优化和技术升级上的新突破。
在美光的演讲中,重点探讨了如何通过纳米印刷技术解决DRAM节点和沉浸式光刻分辨率的难题。随着“Chop”层数目的增加,即在密集存储器阵列周围添加额外的曝光步骤以剔除虚假结构,传统光学光刻技术面临更大的挑战。而纳米印刷技术凭借其精细的打印能力和相对低廉的成本优势,成为解决这一问题的优选方案。
相较于沉浸式光刻技术,纳米印刷技术的应用成本仅为后者的一小部分(约为五分之一)。这不仅提升了生产效率,还有效降低了单位成本,对于推动半导体行业的发展具有重要意义。
尽管纳米印刷技术在某些环节无法完全替代传统光刻技术,但二者之间并非零和博弈。美光的实践表明,纳米印刷技术能够以较低成本助力单个技术操作,为DRAM生产带来积极影响。
佳能在2023年10月推出FPA-1200NZ2C纳米压印光刻设备,为小型半导体制造商提供了生产先进芯片的新途径。佳能社长御手洗富士夫指出,这项技术的问世为小型制造商提供了竞争优势,有望加速先进芯片的商业化进程。
佳能半导体设备业务经理岩本和德强调,纳米压印光刻技术能够高效地在晶圆上形成复杂的2D或3D电路图案,仅需一次压印即可完成。这意味着,通过不断优化掩模设计,制造商能够生产出性能卓越的2nm芯片,展现出巨大的技术创新潜力。
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