2023年3月21日：美光发布季度财报后，CEO桑杰·梅赫罗特拉在电话会议中指出，相比于传统内存技术，高带宽内存（HBM）在晶圆制造过程中的消耗显著增加。

关键信息提炼： - HBM与DDR5对比：在相同生产节点下，美光最新的HBM3E内存对晶圆的需求是DDR5的三倍，预计在性能升级和封装复杂性的增加下，这一比例在HBM4中将进一步增长。 - 高成本因素：HBM的高消耗部分归因于其极低的良品率，约为三分之二。这种多层DRAM内存堆叠结构的特性意味着，一旦其中任何一层出现问题，整个堆叠便需报废。 - AI驱动的供需格局：AI领域的快速增长导致HBM供不应求。SK海力士的HBM产能已满，三星亦提前完成了大部分产能分配。梅赫罗特拉透露，美光的HBM产能甚至预定了明年的大部分订单。 - 影响与对策：HBM的高需求与高消耗限制了其他DRAM产品的生产空间，导致非HBM内存面临供应压力。美光宣布，其8Hi HBM3E内存已开始大规模发货，预计将在当前财年为公司带来数亿美元的收入。 - 技术创新展望：美光正推进12层堆叠36GB HBM3E内存的研发，计划在2025年实现大规模生产，以满足未来市场对高性能内存的需求。

总结：

在AI应用的驱动下，高带宽内存（HBM）因其强大的计算能力和高效率，成为市场上的抢手资源。然而，其高昂的生产成本和有限的良品率使得HBM的供应成为稀缺资源，同时也影响了其他内存产品的生产。面对这一挑战，美光不仅加大了HBM内存的生产力度，还持续投入研发，以提升产能和降低成本，以满足不断增长的市场需求。