在五月初，全球科技研究机构TrendForce发布了关于AI驱动的DRAM内存及NAND闪存市场动态的最新报告。这份报告揭示了人工智能（AI）技术的普及对存储产品市场产生了显著影响，进而上调了这两类关键存储设备季度合约价格的增长预测。

在改写的内容中，DRAM内存的季度合约价格涨幅从原先预计的3%-8%，调整至13%-18%；而NAND闪存的价格增长范围则从13%-18%，调整至15%-20%。特别值得关注的是，eMMC/UFS设备的价格涨幅相对较小，仅为10%。

依据TrendForce的专业分析，起初市场预计在经历数个季度的价格上升后，需求方对大幅度的价格提升将有所抵制。然而，四月下旬时，存储行业的供应商与台湾地区地震后进行了首次合约价格谈判，实际涨幅远超预期。这一转变背后，AI的兴起在供需双方心理层面产生了深远影响。

针对DRAM内存市场，存储生产商对HBM内存的大规模生产及其对传统内存供应的影响感到忧虑。此前，美光公司曾透露，HBM3E内存的晶圆需求量是DDR5内存的三倍。报告指出，到2024年底，三星电子1αnm制程的DRAM产能中，预计将有约60%被分配给HBM3e内存的生产。因此，为了应对第三季度可能出现的HBM内存产量激增导致的潜在供应短缺，需求方在第二季度提前加大了DRAM内存的采购力度。

至于NAND闪存领域，节能成为了AI推理服务器的重要考量因素，北美地区的云服务提供商开始增加QLC企业级固态硬盘的部署。与此同时，库存水平的快速下降促使某些供应商采取了更为谨慎的销售策略。

然而，报告也提到了消费级产品需求复苏的不确定性，使得存储制造商在非HBM内存产能扩张方面保持了谨慎态度，尤其是在DRAM闪存领域，许多厂商正在努力寻找实现盈利平衡的方法。