在ASML致力于研发EUV光刻机以生产2nm和1nm芯片之际，美国公司Zyvex已跨足先进光刻领域的新前沿，成功利用电子束光刻技术打造出768皮米（即0.7nm）芯片，此芯片特别适用于量子计算。

Zyvex推出了一款名为ZyvexLitho1的光刻系统，其基础在于STM扫描隧道显微镜，采用电子束光刻（EBL）方式，实现了0.7nm线宽的芯片制造，这一精度超越了EUV光刻系统，相当于两个硅原子的宽度，成为目前制造精度最尖端的光刻系统。

这款光刻机产出的芯片主要用于量子计算领域，能够制造出高精度的固态量子器件及纳米级器件与材料，对量子计算的精确性至关重要。

ZyvexLitho1不仅在精度上位居电子束光刻机之首，而且具备商业化应用的可能性，公司现已接受来自各方的订单，预计在6个月内交付机器。

EBL电子束光刻技术的精度显著优于EUV光刻，但其局限性同样明显——产量极低，难以实现大规模芯片制造，更适合生产少量的高精度芯片或器件，指望它取代EUV光刻机并非现实。

信息来源：快科技