近期，存储领域的一次重要会议聚焦于未来存储技术的趋势，其中特别提到了DDR5和HBM3两大存储标准。会议指出，这两项技术的传输速度相比当前产品实现了显著提升，均实现了翻倍。

回溯历史，英特尔在Pentium 4处理器上市之初，由于市场上缺乏与前端总线相匹配的速度，选择了不常见的RDRAM作为内存解决方案，这一策略背后的主力供应商便是Rambus公司。尽管Rambus在消费和企业市场的尝试并未取得成功，但凭借其持有的大量存储技术专利，该公司每年仍能获得超过十亿美元的授权收入，彰显了其在技术领域的领先地位。

最新消息显示，Rambus在投资者会议上透露了下一代存储技术的细节。HBM3计划采用7纳米工艺制造，传输速度可达4000Mbps，而DDR5同样采用7纳米制程，预计传输速度将在4800Mbps至6400Mbps之间。这意味着，单个针脚接口的传输速率，结合1024位和64位的总线宽度，最高可达500GB/s和50GB/s。

目前，关于下一代存储技术的具体实施还处于展望阶段。HBM2技术在显卡市场的应用尚未广泛普及，DDR4标准在AMD和Intel两家的主流支持速度才刚刚达到等效2666MHz，距离JEDEC制定的最高规格3200MHz仍有差距。Rambus提到的7纳米制程技术预计还需数年才能实现大规模量产。