近期，存储领域的一次重要会议聚焦于未来存储技术的趋势，其中特别提到了DDR5和HBM3两大存储标准。会议指出，这两项技术的传输速度相比当前产品实现了显著提升，均实现了翻倍。

回溯历史，英特尔在Pentium 4处理器上市之初，由于市场上缺乏与前端总线相匹配的速度，选择了不常见的RDRAM作为内存解决方案，这一策略后来主要依赖于Rambus公司的技术支持。尽管Rambus曾因主导的RDRAM技术未能在消费和企业市场获得成功，但公司凭借其持有的大量存储技术专利，每年仍能收获超过十亿美元的授权收入，证明了其在技术领域的领导地位。

根据ComputerBase网站的报道，Rambus在投资者会议上透露了下一代存储技术的规格。HBM3将采用7纳米制程，其传输速度可达4000Mbps，而DDR5同样基于7纳米工艺，预期传输速度将在4800Mbps至6400Mbps之间。这意谓着单个针脚的传输速度，乘以1024位或64位总线宽度后，最高可达500GB/s和50GB/s。

目前讨论的下一代存储速度更多是一种前瞻性的展望。HBM2技术在显卡市场尚未广泛普及，DDR4在AMD和Intel两家的标准化支持速度也刚越过等效2666MHz的门槛，还未达到JEDEC制定的最高规格3200MHz。而提到的7纳米制程，预计还需经过数年时间才能实现大规模量产。

此番展望展现了存储技术的潜在突破，预示着未来的计算设备将有望迎来更高的数据处理效率和更快的数据传输速度。