全球领先NAND闪存主控芯片制造商慧荣科技（NASDAQ: SIMO）于二月十七日发布了全新高性能PCIe Gen4 SSD主控芯片——SM2268XT。这款芯片以其优化的NAND传输速率，成为了业界首例支持高达3200 MT/s NAND IO速度的主控芯片。其卓越性能及可靠性保证了用户在不影响吞吐量和延迟的前提下，能充分利用最新的TLC和QLC 3D NAND闪存，加速新一代固态硬盘的开发，并确保数据完整性和纠错功能的全面覆盖。

SM2268XT配置了双核ARM R8处理器，具备4个16Gb/s PCIe数据通道和4个NAND通道，每个通道的最高速度可达3,200 MT/s，为设计人员提供了利用下一代高速TLC和QLC 3D NAND闪存的优势。其多核架构自动平衡计算负载，提供7,400MB/s和6,500MB/s的连续读写速度以及1,200K IOPS的随机读写速度。通过集成高效能的DRAM-less PCIe Gen4 NVMe SSD解决方案，它实现了低功耗和严格的数据保护，确保了成本效益的同时，维持了高性能和高可靠性。

该芯片采用了创新的系统总线架构、主机内存缓冲（HMB）功能，并配备了慧荣科技的第8代NANDXtend ECC技术，包括性能优化的4KB LDPC ECC和RAID，以最大化纠错能力。SM2268XT特别设计用于成本效益高的TLC和QLC 3D NAND闪存，使其适用于笔记本电脑的各种应用领域，包括高性能、主流市场乃至入门级产品。

慧荣科技总经理苟嘉章对此表示：“我们自豪地推出了SM2268XT，这标志着我们在客户端SSD领域迈出了重要的一步。”他进一步指出：“我们不断致力于开发符合客户需求的产品，以支持下一代高速NAND闪存的发展。”

铠侠公司存储部门高级总监Atsushi Inoue对此表示：“我们对慧荣科技发布的高性能PCIe Gen4 SSD主控芯片感到非常兴奋，相信这款芯片结合我们领先的BiCS FLASH技术，将推动高性能SSD标准达到新的高度。”

Forward Insights总裁Greg Wong则评论道：“PCIe Gen4 SSD正处于快速增长期，2022年的出货量几乎翻倍，并有望在未来几年内成为PC的主要存储解决方案。慧荣科技最新的SM2268XT DRAM-less主控芯片在PC中实现了低成本、高性能存储，同时支持最先进的3D NAND技术。”