智能穿戴技术持续进阶，向着多功能整合、长效续航与流畅用户体验的方向发展，这要求存储芯片在尺寸、能效、性能及应用适配性等方面达到新高度。ePOP存储芯片凭借其小巧身材、低能耗、高性能及高稳定性，成为了智能穿戴设备的理想选择。佰维存储，基于LPDDR3 ePOP的成功经验，面向高端智能手表市场推出了基于LPDDR4X144球的ePOP存储芯片。此款新品相较于前代产品，性能提升显著，频率提升了128.6%，体积缩减了32%，并已获得高通5100平台的认证。

佰维的LPDDR4X144球ePOP采用eMMC5.1与LPDDR4X集成封装形式，其尺寸仅有8.0mm×9.5mm×0.8mm，具备出色的ROM顺序读写性能（310MB/s、240MB/s）与RAM频率（4266Mbps），最高容量可达32GB+16Gb（未来有望扩展至64GB+16Gb）。这款存储芯片是佰维为高端智能手表量身打造的旗舰级存储解决方案。

该ePOP存储芯片具备多项优势：

1. JEDEC标准兼容：集成eMMC5.1和LPDDR4X，直接贴装在SoC芯片上，助力智能手表实现轻薄设计。
2. 低功耗优化：采用低功耗LPDRAM和固件优化，较前代产品频率提升128.6%，在确保高性能的同时兼顾低能耗。
3. 可靠性保障：通过全局磨损平衡管理、LDPC纠错算法及支持FFU升级等功能，支持在-20℃～85℃的宽温环境下稳定运行，确保数据安全可靠。
4. 平台认证：通过高通5100 SoC平台认证，为终端客户提供简化系统设计、加速产品上市的便利。

性能方面，ePOP存储芯片通过提升效率与响应速度，增强智能穿戴设备的用户体验。高性能特性有助于提升设备的开机、APP启动关闭、屏幕切换等操作的流畅性，有效处理传感器的多任务存储需求，确保快速响应用户操作；低功耗设计在多线程运行、高负载场景下，减少设备发热，防止设备因过热影响用户体验；高可靠性设计则确保设备在异常情况下（如蓝屏、冷启动、复位）仍能稳定运行，保护数据安全。

相比通用型存储芯片，智能穿戴设备的存储需求对厂商提出了更高的快速响应与定制化能力要求。佰维的ePOP存储芯片充分利用研发与封测一体化的优势，不仅在性能上表现出色，还在尺寸、可靠性方面展现出显著优势。佰维的产品已被全球顶级客户纳入供应链，并取得显著市场份额。在实际合作中，佰维协同终端客户，共同调校和优化SOC平台、存储、系统与应用，深入了解用户使用场景，持续优化用户体验，旨在打造具备强大竞争力的终端设备。