三星与英伟达携手探索前沿内存技术

在3月23日的动态更新中，三星电子美国分公司的领导者韩进万分享了两张珍贵的照片，记录了英伟达首席执行官黄仁勋访问三星GTC 2024展会的情景。在这次访问中，黄仁勋在三星自主研发的HBM3E 12H产品上留下了“JENSEN APPROVED”的亲笔签名，这一举动不仅象征着英伟达对三星最新技术的认可，同时也预示着双方在先进内存解决方案上的紧密合作。

强强联合，推动技术创新

在黄仁勋亲自签名的瞬间，不仅体现了他对HBM3E 12H这款业界首款12层堆叠产品的高度期望，也意味着英伟达已经开始了对该产品的验证测试。在此之前，黄仁勋在吹风会上盛赞三星的卓越表现，并明确表示英伟达正积极验证三星的HBM内存芯片，未来可能将大量采购。

技术奇迹与性能飞跃

黄仁勋将HBM称为“技术奇迹”，它在提高数据中心性能的同时，显著降低了功耗。相较于传统的DRAM技术，HBM3E 12H在带宽和容量上实现了超过50%的提升，最高可达1280GB/s的带宽和36GB的产品容量，远超其前身——三星8层堆叠的HBM3 8H。

解决挑战，提升效率

面对行业面临的薄片导致的芯片弯曲问题，三星通过采用热压非导电薄膜（TC NCF）技术，成功解决了12层和8层堆叠产品高度一致性的问题，满足了当前HBM封装的需求。这一创新不仅有助于解决芯片弯曲问题，还进一步降低了非导电薄膜的厚度，实现了芯片间7微米（μm）的最小间隙，从而消除了层与层之间的空隙，显著提高了产品的垂直密度，较HBM3 8H提高了20%以上。

合作前景广阔

此次三星与英伟达的合作，不仅是对各自技术实力的肯定，更是对未来内存市场的一次前瞻布局。通过共同探索和开发先进的内存解决方案，双方有望在高性能计算领域创造更多可能性，为全球科技产业带来革命性的变革。