台积电在4月末举办的2024年北美技术论坛上,发布了多项半导体技术创新成果,包括A16(1.6nm)制程技术、下一代先进封装方案、3D芯片技术等六大亮点,引发了业界的高度关注。
在人工智能热潮的背景下,台积电凭借其在芯片技术领域的领先地位和不断扩大的生产能力,成为关键的AI芯片供应商,尤其是对英伟达等企业而言。据TechInsights的研究报告,台积电在2023年的总销售额达到692.76亿美元,稳居全球半导体产业之首。金融巨头摩根大通和摩根士丹利均对台积电未来发展持乐观态度,特别是考虑到其在技术创新和先进封装领域的优势,以及在人工智能时代的战略角色,预计台积电将在未来几年继续保持行业领导地位。
A16 1.6nm制程技术
台积电的A16制程是首个集成纳米片晶体管和背面供电技术“Super Power Rail”的节点,专为高性能计算和人工智能应用而设计。预计于2026年下半年进入量产阶段。相较于2nm N2P节点,A16在相同电压下速度提升8~10%,功耗降低15~20%,有助于数据中心计算芯片密度提升1.07~1.10倍。
N2制程工艺中的NanoFlex创新纳米片晶体管
即将应用于N2制程的NanoFlex技术为标准单元提供了设计灵活性,通过短小和高单元的组合优化,实现了更小面积和更高能效。客户可以根据需求在单一设计中灵活调整单元组合,实现功耗、性能与面积的最佳平衡。
N4C制程技术
作为N4P的迭代,N4C技术旨在降低8.5%的芯片成本,计划于2025年实现量产。该技术提供高效面积利用率的基础IP和设计规则,与N4P兼容,有效缩小芯片尺寸并提高良率,为客户提供经济高效的选项。
先进封装技术
台积电的CoWoS、SoIC和系统级晶圆(TSMC-SoW)封装技术,为AI芯片提供了关键支持。CoWoS已成为AI芯片封装的首选技术,允许更多处理器内核与高带宽存储堆叠封装。SoIC成为三维芯片堆叠的领先解决方案,与CoWoS及其他组件结合,实现系统级封装集成。
CoW-SoW封装技术(TSMC-SoW)
基于台积电InFO-SoW晶圆上系统集成技术的迭代,CoW-SoW封装技术在单片12英寸晶圆上制造大型芯片阵列,提供强大算力,同时减少空间占用,显著提升每瓦性能。特斯拉的Dojo D1超级芯片即采用了此类工艺,实现单片晶圆的强大算力。
硅光子集成COUPE
台积电正在开发紧凑型通用光子引擎(COUPE)技术,以应对数据传输量激增的需求。COUPE技术采用SoIC-X芯片堆叠,实现硅光子芯片与电子芯片的集成,显著提升能效比。预计在2025年用于小型插拔式设备,速度可达1.6Tbps,2026年整合入CoWoS封装中,实现6.4Tbps速度。
市场预期显示,台积电在2024年的表现将稳健增长,摩根大通预计第二季度营收环比增长5%~7%,目标股价为860元新台币。小摩则预计今年毛利率将维持在52%~54%区间,年底3nm产能将达到10万片规模,明年增加至15万片,目标股价为900元新台币。小摩预测,台积电在AI芯片市场的占有率将持续保持在90%以上,到2027年AI相关收入占比将增至总营收的25%。
金融机构如花旗银行、美银证券、瑞银等对台积电全年营收增长给出了积极预测,尤其是在人工智能市场需求持续增长和美日芯片工厂产能释放的背景下,台积电有望继续引领全球半导体产业,保持AI芯片领域的龙头地位。
【来源:集微网】
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