新标题： 俄罗斯光刻机进展：350nm芯片生产，目标直指7nm

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在科技领域，近期俄罗斯展现了一项重要突破——首台自主研发的光刻机已成功制造并投入测试阶段。这一成就标志着俄罗斯在半导体技术自主发展之路上迈出了关键一步。

据工业与贸易部副部长瓦西里-什帕克透露，这款光刻机具备生产350nm芯片的能力，其应用范围广泛，包括汽车、能源、电信等多个行业。虽然350nm的技术标准相对于当前主流的先进制程有所落后，但依然在多个领域具有实际应用价值。

俄罗斯此举旨在减少对外部技术的依赖，增强国内产业的自给自足能力和市场竞争力。目前，俄罗斯正积极规划未来几年的半导体技术发展目标，包括到2026年实现65nm芯片节点工艺，2027年启动28nm级别的本土芯片制造，最终目标锁定于2030年的14nm国产芯片制造。

值得注意的是，俄罗斯大诺夫哥罗德策略发展机构下辖的应用物理研究所，不仅计划在2028年研发出能生产7纳米芯片的光刻机，还声称该技术将超越同类产品，挑战全球领先的光刻机制造商ASML。

此番进展不仅展示了俄罗斯在半导体技术领域的雄心壮志，也预示着全球半导体市场竞争格局可能因此发生微妙变化。