2月27日，据韩媒ETNews报道，SK海力士的第六代12层堆叠高带宽内存（HBM4）测试良率已超过70%，这意味着该产品已准备好大规模生产，并在竞争中处于有利地位。

据了解，SK海力士的12层堆叠HBM4在2024年底的良率达到了60%，最近的数据显示，其测试良率已提升到70%。这表明SK海力士在半导体技术和生产方面具有很强的实力。

SK海力士HBM4的发展迅速，部分原因是由于其第五代10nm级DRAM（1b）的成功应用。这项技术已经在性能和稳定性方面得到验证，并成功应用于SK海力士的HBM3e产品中。由于HBM3e曾实现80%的高良率，并将量产时间缩短了50%，业内人士预计HBM4的12层堆叠产品也会很快进入量产阶段。

目前，SK海力士已经完成了HBM4的技术开发和评估，并准备向客户提供样品进行性能测试。一旦测试通过，公司将立即开始量产，以应对市场对高性能内存产品的需求。

此外，12层堆叠HBM4有望被应用于英伟达的下一代AI加速器“Grace Hopper”系列中。英伟达计划提前至2025年下半年量产这一系列，这将促使SK海力士加快提升HBM4的良率和量产进度，以确保按时交货并满足客户需求。