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    台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片,功耗仅为类似技术的1%

      台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片,功耗仅为类似技术的1%

    • 台湾《经济日报》消息,台积电在次世代MRAM内存相关技术传捷报,与工研院共同开发出自旋轨道转矩磁性内存(SOT-MRAM)阵列芯片,搭配创新的运算构架,功耗仅其他类似技术的1%,为台积电抢攻AI、高效能运算(HPC)等当红商机增添动能。
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