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    AI 潮影响明显,TrendForce 上修本季度 DRAM 内存、NAND 闪存合约价涨幅预测
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    三星启动其首批第九代 V-NAND 闪存量产

      三星启动其首批第九代 V-NAND 闪存量产

    • 4 月 23 日消息,三星半导体今日宣布,其第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产,比三星上一代产品提高约 50% 的位密度(bit density),通过通道孔蚀刻技术(channel hole etching)提高生产效率。"
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    从汽车、PC边缘到数据中心,西部数据闪存方案一一解密

      从汽车、PC边缘到数据中心,西部数据闪存方案一一解密

    • 无论AI、5G,还是机器学习、自动驾驶技术应用,如今,数据都扮演着重要角色,由此也带来了对数据存储的挑战和需求,在众多解决方案中,闪存无疑是最佳答案。尽管如此, “一母生九子,九子有别”,同为闪存,场景不同,其方案重点也不尽相同。
      西部 ...
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    Solidigm亮相中国闪存市场峰会: 丰富产品组合打造AI时代存力底座
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